TSM2307CX RFG TAIWAN SEMICONDUCTOR
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2307CX RFG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.076 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.076ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 42.69 грн |
| 500+ | 35.57 грн |
| 1500+ | 30.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSM2307CX RFG TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2307CX RFG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.076 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.076ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції TSM2307CX RFG за ціною від 30.29 грн до 58.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TSM2307CX RFG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2307CX RFG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.076 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.076ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 3687 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
TSM2307CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
MOSFET -30V -3A Single P-Ch annel Power MOSFET |
на замовлення 13935 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||
 |
TSM2307CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
P Channel Power MOSFET |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
TSM2307CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
TSM2307CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
TSM2307CX RFG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; 800mW; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -3A Power dissipation: 0.8W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 95mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
TSM2307CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 3A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 30 V |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
TSM2307CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 3A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 30 V |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
TSM2307CX RFG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; 800mW; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -3A Power dissipation: 0.8W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 95mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |