TSM2306CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation
Виробник: Taiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 30V 3.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 15 V
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 14.94 грн |
| 6000+ | 13.63 грн |
| 9000+ | 12.62 грн |
| 30000+ | 11.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSM2306CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2306CX RFG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.046 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції TSM2306CX RFG за ціною від 13.57 грн до 43.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TSM2306CX RFG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2306CX RFG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.046 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 14774 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
TSM2306CX RFG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2306CX RFG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.046 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 14774 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
TSM2306CX RFG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; 800mW; SOT23 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 57mΩ Drain current: 3.5A Drain-source voltage: 30V Gate charge: 7nC Case: SOT23 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 0.8W |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
TSM2306CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 3.5A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 15 V |
на замовлення 65413 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
TSM2306CX RFG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; 800mW; SOT23 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 57mΩ Drain current: 3.5A Drain-source voltage: 30V Gate charge: 7nC Case: SOT23 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 0.8W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 19 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
TSM2306CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
MOSFET 30V, 3.5A, Single N-Channel Power MOSFET |
на замовлення 7810 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||||
 |
TSM2306CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
TSM2306CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
TSM2306CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |