Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR > TSM220NB06LCR RLG
TSM220NB06LCR RLG

TSM220NB06LCR RLG Taiwan Semiconductor

tsm220nb06lcr_b1804.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 35A 8-Pin PDFN EP T/R
на замовлення 4447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
119+5.04 грн
527+ 1.13 грн
534+ 1.12 грн
545+ 1.06 грн
552+ 0.97 грн
560+ 0.91 грн
568+ 0.9 грн
1000+ 0.88 грн
3000+ 0.87 грн
Мінімальне замовлення: 119
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM220NB06LCR RLG Taiwan Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 60V 8A/35A 8PDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerLDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 68W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314 pF @ 30 V.

Інші пропозиції TSM220NB06LCR RLG за ціною від 16.48 грн до 57.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TSM220NB06LCR RLG TSM220NB06LCR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TSM220NB06LCR_B1804.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 8A/35A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+16.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500
TSM220NB06LCR RLG TSM220NB06LCR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TSM220NB06LCR_B1804.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 8A/35A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314 pF @ 30 V
на замовлення 3179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+57.15 грн
10+ 47.22 грн
100+ 32.66 грн
500+ 25.61 грн
1000+ 21.79 грн
Мінімальне замовлення: 6
TSM220NB06LCR RLG TSM220NB06LCR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm220nb06lcr_b1804.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 35A 8-Pin PDFN EP T/R
на замовлення 4447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSM220NB06LCR RLG TSM220NB06LCR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm220nb06lcr_b1804.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 35A 8-Pin PDFN EP T/R
товар відсутній
TSM220NB06LCR RLG TSM220NB06LCR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm220nb06lcr_b1804.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin PDFN EP T/R
товар відсутній
TSM220NB06LCR RLG Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM220NB06LCR_B1804.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; 23W; PDFN56
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 22mΩ
Drain current: 8A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 23nC
Case: PDFN56
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 23W
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TSM220NB06LCR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor TSM220NB06LCR_B1804-1480636.pdf MOSFET 60V 35A 22mOhm N-Chan Pwr MOSFET
товар відсутній
TSM220NB06LCR RLG Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM220NB06LCR_B1804.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; 23W; PDFN56
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 22mΩ
Drain current: 8A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 23nC
Case: PDFN56
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 23W
товар відсутній