TSM210N02CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation
Виробник: Taiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 20V 6.7A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 9.47 грн |
| 6000+ | 8.74 грн |
| 9000+ | 7.86 грн |
| 30000+ | 7.27 грн |
| 75000+ | 6.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSM210N02CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 6.7A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V.
Інші пропозиції TSM210N02CX RFG за ціною від 7.39 грн до 37.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TSM210N02CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 6.7A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V |
на замовлення 125460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TSM210N02CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
MOSFET 20V, 6.7A, Single N-Channel Power MOSFET |
на замовлення 13678 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TSM210N02CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 6.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
TSM210N02CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 6.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
TSM210N02CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 6.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
TSM210N02CX RFG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 1.56W; SOT23 Mounting: SMD Gate charge: 5.8nC Case: SOT23 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.56W Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 21mΩ Drain current: 4.2A Drain-source voltage: 20V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
TSM210N02CX RFG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 1.56W; SOT23 Mounting: SMD Gate charge: 5.8nC Case: SOT23 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.56W Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 21mΩ Drain current: 4.2A Drain-source voltage: 20V |
товар відсутній |