TSM200N03DPQ33 RGG Taiwan Semiconductor Corporation
Виробник: Taiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 30V 20A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3x3)
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 12.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSM200N03DPQ33 RGG Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 30V 20A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 20W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PDFN (3x3), Part Status: Active.
Інші пропозиції TSM200N03DPQ33 RGG за ціною від 12.65 грн до 47.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TSM200N03DPQ33 RGG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 20A 8DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 20W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (3x3) Part Status: Active |
на замовлення 12977 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TSM200N03DPQ33 RGG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
MOSFETs 30V, 20A, Dual N-Channel Power MOSFET |
на замовлення 9464 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TSM200N03DPQ33 RGG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin P-DFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
TSM200N03DPQ33 RGG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PDFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
TSM200N03DPQ33 RGG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PDFN EP T/R |
товар відсутній |