![TSM190N08CZ C0G TSM190N08CZ C0G](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/5601/MFG_1801-TO-220.jpg)
TSM190N08CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation
![TSM190N08_B15.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CHANNEL 75V 190A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 30 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 201.28 грн |
50+ | 153.22 грн |
100+ | 131.34 грн |
500+ | 120.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSM190N08CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 75V 190A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 90A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 30 V.
Інші пропозиції TSM190N08CZ C0G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
TSM190N08CZ C0G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|
TSM190N08CZ C0G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 14A; 160W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 14A Power dissipation: 160W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.2mΩ Mounting: THT Gate charge: 160nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
![]() |
TSM190N08CZ C0G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|
TSM190N08CZ C0G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 14A; 160W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 14A Power dissipation: 160W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.2mΩ Mounting: THT Gate charge: 160nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |