TSM160P02CS Taiwan Semiconductor Co., Ltd.


TSM160P02CS_B2209.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
MOSFET P-CHANNEL 20V 11A 8SOP TSM160P02CS RLG; TSM160P02CS-RLG; TSM160P02CS TTSM160p02cs
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 200 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+24.77 грн
Мінімальне замовлення: 30
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM160P02CS Taiwan Semiconductor Co., Ltd.

Description: -20, -11, SINGLE P-CHANNEL, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 6A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 15 V.

Інші пропозиції TSM160P02CS

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TSM160P02CS Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TSM160P02CS_B2209.pdf Description: -20, -11, SINGLE P-CHANNEL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 15 V
товар відсутній