![TSM126CX RFG TSM126CX RFG](https://media.digikey.com/Photos/Taiwan%20Semi%20photos/MFG_TO-236-3,-SC-59,-SOT-23-3.jpg)
TSM126CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSM126CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24mA; 500mW; SOT23, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 24mA, Power dissipation: 0.5W, Case: SOT23, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 800Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 1.18nC, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції TSM126CX RFG
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
TSM126CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
на замовлення 11708 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
![]() |
TSM126CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
TSM126CX RFG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24mA; 500mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 24mA Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 800Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.18nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
![]() |
TSM126CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
TSM126CX RFG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24mA; 500mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 24mA Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 800Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.18nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |