TSM120N06LCR RLG Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Виробник: Taiwan Semiconductor Co., Ltd.Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 15mOhm; 54A; 69W; -55°C ~ 150°C; TSM120N06LCR RLG TSM120N06LCR TTSM120n06lcr
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 17.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSM120N06LCR RLG Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 60V 54A 8PDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 69W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2116 pF @ 30 V.
Інші пропозиції TSM120N06LCR RLG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TSM120N06LCR RLG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
N Channel Power MOSFET |
товар відсутній |
|
| TSM120N06LCR RLG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; 14W; PDFN56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 10A Power dissipation: 14W Case: PDFN56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: SMD Gate charge: 36.5nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
 |
TSM120N06LCR RLG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CH 60V 54A 8PDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2116 pF @ 30 V |
товар відсутній |
|
 |
TSM120N06LCR RLG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
MOSFETs 60V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET |
товар відсутній |
|
| TSM120N06LCR RLG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; 14W; PDFN56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 10A Power dissipation: 14W Case: PDFN56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: SMD Gate charge: 36.5nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |