![TSM080N03EPQ56 RLG TSM080N03EPQ56 RLG](https://www.mouser.com/images/taiwansemiconductor/lrg/PDFN56_SPL.jpg)
TSM080N03EPQ56 RLG Taiwan Semiconductor
на замовлення 4334 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 30.25 грн |
13+ | 25.01 грн |
100+ | 16.03 грн |
500+ | 15.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSM080N03EPQ56 RLG Taiwan Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 55A 8PDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 54W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V.
Інші пропозиції TSM080N03EPQ56 RLG за ціною від 18.3 грн до 47.49 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TSM080N03EPQ56 RLG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V |
на замовлення 4381 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
TSM080N03EPQ56 RLG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
TSM080N03EPQ56 RLG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V |
товар відсутній |