TSM048NB06LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation
Виробник: Taiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 16A/107A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6253 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 51.16 грн |
| 5000+ | 47.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSM048NB06LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 60V 16A/107A 8PDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerLDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 107A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 136W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6253 pF @ 30 V.
Інші пропозиції TSM048NB06LCR RLG за ціною від 48.66 грн до 201.7 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TSM048NB06LCR RLG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CH 60V 16A/107A 8PDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 107A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6253 pF @ 30 V |
на замовлення 7128 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
TSM048NB06LCR RLG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 16A; 45W; PDFN56U Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 16A Power dissipation: 45W Case: PDFN56U Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 105nC Kind of channel: enhanced |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
TSM048NB06LCR RLG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 16A; 45W; PDFN56U Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 16A Power dissipation: 45W Case: PDFN56U Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 105nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
TSM048NB06LCR RLG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 16A 8-Pin PDFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
TSM048NB06LCR RLG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
MOSFET 60V 107A Single N-Ch annel Power MOSFET |
товар відсутній |