Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > TSM038N03PQ33 RGG
TSM038N03PQ33 RGG

TSM038N03PQ33 RGG Taiwan Semiconductor Corporation

TSM038N03PQ33_B1610.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 78A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2557 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+18.06 грн
10000+ 16.1 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM038N03PQ33 RGG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: MOSFET N-CH 30V 78A 8PDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 19A, 10V, Power Dissipation (Max): 39W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PDFN (3.1x3.1), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2557 pF @ 15 V.

Інші пропозиції TSM038N03PQ33 RGG за ціною від 17.23 грн до 129.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TSM038N03PQ33 RGG TSM038N03PQ33 RGG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TSM038N03PQ33_B1610.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 78A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2557 pF @ 15 V
на замовлення 18887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+49.76 грн
10+ 41.81 грн
100+ 28.98 грн
500+ 22.73 грн
1000+ 19.34 грн
2000+ 17.23 грн
Мінімальне замовлення: 7
TSM038N03PQ33 RGG TSM038N03PQ33 RGG Виробник : Taiwan Semiconductor TSM038N03PQ33_B1610.pdf MOSFET 30V, 78A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 35095 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+129.28 грн
10+ 105.79 грн
100+ 73.18 грн
500+ 61.82 грн
1000+ 49.83 грн
5000+ 44.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
TSM038N03PQ33 RGG TSM038N03PQ33 RGG Виробник : Taiwan Semiconductor 958055845261667tsm038n03pq33_b1610.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 78A 8-Pin PDFN EP T/R
товар відсутній