Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > TSM035NB04LCZ C0G

TSM035NB04LCZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation

TSM035NB04LCZ_A2010.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 40V, 157A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 157A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6350 pF @ 20 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+251.93 грн
10+ 218.05 грн
100+ 178.64 грн
500+ 142.72 грн
1000+ 120.36 грн
2000+ 114.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM035NB04LCZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation

Description: 40V, 157A, SINGLE N-CHANNEL POWE, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 157A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 156W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6350 pF @ 20 V.

Інші пропозиції TSM035NB04LCZ C0G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TSM035NB04LCZ C0G TSM035NB04LCZ C0G Виробник : Taiwan Semiconductor tsm035nb04lcz_a2010.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 157A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товар відсутній