![TSM033NB04CR RLG TSM033NB04CR RLG](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/3773026-40.jpg)
TSM033NB04CR RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR
![3256625.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM033NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 0.0024 ohm, PDFN56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: PDFN56
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 145.92 грн |
500+ | 115.26 грн |
1000+ | 96.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSM033NB04CR RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM033NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 0.0024 ohm, PDFN56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 121A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 107W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 107W, Bauform - Transistor: PDFN56, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції TSM033NB04CR RLG за ціною від 96.5 грн до 240.79 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TSM033NB04CR RLG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 121A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: PDFN56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 2478 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TSM033NB04CR RLG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() |
на замовлення 4930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
TSM033NB04CR RLG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4399 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
TSM033NB04CR RLG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
TSM033NB04CR RLG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
TSM033NB04CR RLG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 21A; 36W; PDFN56U Case: PDFN56U Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.3mΩ Power dissipation: 36W Gate charge: 77nC Polarisation: unipolar Drain current: 21A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 40V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
TSM033NB04CR RLG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 21A; 36W; PDFN56U Case: PDFN56U Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.3mΩ Power dissipation: 36W Gate charge: 77nC Polarisation: unipolar Drain current: 21A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 40V |
товар відсутній |