![TRS20N65FB,S1Q TRS20N65FB,S1Q](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/1104/MFG_TRSxxN65FB%2CS1Q.jpg)
TRS20N65FB,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage
![datasheet_en_20200703.pdf?did=69237](/images/adobe-acrobat.png)
Description: DIODE ARR SIC SCHOT 650V TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC)
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 524.61 грн |
10+ | 343.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TRS20N65FB,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARR SIC SCHOT 650V TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC), Supplier Device Package: TO-247, Operating Temperature - Junction: 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V.
Інші пропозиції TRS20N65FB,S1Q за ціною від 221.4 грн до 537.1 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TRS20N65FB,S1Q | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|