TPS1120D Texas Instruments
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 75+ | 75.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPS1120D Texas Instruments
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -15V; -0.53A; Idm: 7A; SO8, Type of transistor: P-MOSFET x2, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -15V, Drain current: -0.53A, Pulsed drain current: 7A, Case: SO8, Gate-source voltage: ±15V, On-state resistance: 0.18Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 5.45nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Features of semiconductor devices: ESD protected gate, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції TPS1120D за ціною від 67.78 грн до 180.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TPS1120D | Виробник : Texas Instruments |
 Trans MOSFET P-CH Si 15V 1.17A 8-Pin SOIC Tube |
на замовлення 375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TPS1120D | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -15V; -0.53A; Idm: 7A; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -15V Drain current: -0.53A Pulsed drain current: 7A Case: SO8 Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: SMD Gate charge: 5.45nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
на замовлення 75 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
TPS1120D | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -15V; -0.53A; Idm: 7A; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -15V Drain current: -0.53A Pulsed drain current: 7A Case: SO8 Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: SMD Gate charge: 5.45nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 75 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TPS1120D | Виробник : Texas Instruments |
MOSFET Dual P-Ch Enh-Mode MOSFET |
на замовлення 315 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TPS1120D | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC |
на замовлення 1571050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| TPS1120D | Виробник : TI |
05+ |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| TPS1120D | Виробник : TI/BB |
09+ |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| TPS1120D | Виробник : TI/BB |
2004+ SOIC-8 |
на замовлення 5 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
TPS1120D | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET P-CH Si 15V 1.17A 8-Pin SOIC Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
TPS1120D | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET P-CH Si 15V 1.17A 8-Pin SOIC Tube |
товар відсутній |