TPS1100D Texas Instruments
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 268+ | 45.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPS1100D Texas Instruments
Description: MOSFET P-CH 15V 1.6A 8SOIC, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 791mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V, Vgs (Max): +2V, -15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.45 nC @ 10 V.
Інші пропозиції TPS1100D за ціною від 41.96 грн до 152.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TPS1100D | Виробник : Texas Instruments |
 Trans MOSFET P-CH Si 15V 1.6A 8-Pin SOIC Tube |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
TPS1100D | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET P-CH Si 15V 1.6A 8-Pin SOIC Tube |
на замовлення 825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
TPS1100D | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET P-CH Si 15V 1.6A 8-Pin SOIC Tube |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
TPS1100D | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET P-CH Si 15V 1.6A 8-Pin SOIC Tube |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
TPS1100D | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET P-CH 15V 1.6A 8SOIC Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 791mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V Vgs (Max): +2V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.45 nC @ 10 V |
на замовлення 7680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
TPS1100D | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET P-CH Si 15V 1.6A 8-Pin SOIC Tube |
на замовлення 825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
TPS1100D | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET P-CH 15V 1.6A 8SOIC Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 791mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V Vgs (Max): +2V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.45 nC @ 10 V |
на замовлення 346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
TPS1100D | Виробник : Texas Instruments |
MOSFETs MOSFET 10ns RT |
на замовлення 3193 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
TPS1100D | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -15V; -0.72A; Idm: 7A; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Mounting: SMD Case: SO8 On-state resistance: 0.18Ω Kind of package: tube Drain-source voltage: -15V Drain current: -0.72A Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 5.45nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±15V Pulsed drain current: 7A |
на замовлення 73 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
TPS1100D | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -15V; -0.72A; Idm: 7A; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Mounting: SMD Case: SO8 On-state resistance: 0.18Ω Kind of package: tube Drain-source voltage: -15V Drain current: -0.72A Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 5.45nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±15V Pulsed drain current: 7A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 73 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
| TPS1100D | Виробник : TI |
|
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
|
|
TPS1100D | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET P-CH Si 15V 1.6A 8-Pin SOIC Tube |
товар відсутній |