![TPN5900CNH,L1Q TPN5900CNH,L1Q](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/500/8-PowerVDFN,-8-TSON.jpg)
TPN5900CNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage
![TPN5900CNH_datasheet_en_20140227.pdf?did=14560&prodName=TPN5900CNH](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 150V 9A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 75 V
на замовлення 4056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 94.28 грн |
10+ | 57.84 грн |
100+ | 38.96 грн |
500+ | 30.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPN5900CNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 150V 9A 8TSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 4.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 39W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA, Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 75 V.
Інші пропозиції TPN5900CNH,L1Q за ціною від 32.82 грн до 98.4 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TPN5900CNH,L1Q | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 5271 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
TPN5900CNH,L1Q | Виробник : Toshiba |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
TPN5900CNH,L1Q | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 75 V |
товар відсутній |