![TPN3300ANH,LQ TPN3300ANH,LQ](https://www.mouser.com/images/toshibaamericaelectroniccomponentsinc/lrg/TSON_8_Advance_SPL.jpg)
на замовлення 31614 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 63.09 грн |
10+ | 51.08 грн |
100+ | 34.54 грн |
500+ | 29.2 грн |
1000+ | 23.8 грн |
3000+ | 21.63 грн |
6000+ | 21.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPN3300ANH,LQ Toshiba
Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 27W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA, Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V.
Інші пропозиції TPN3300ANH,LQ
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
TPN3300ANH,LQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.7A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 27W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
![]() |
TPN3300ANH,LQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.7A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 27W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V |
на замовлення 13558 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
TPN3300ANH,LQ | Виробник : Toshiba |
![]() |
товар відсутній |
||
![]() |
TPN3300ANH,LQ | Виробник : Toshiba |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
TPN3300ANH,LQ | Виробник : Toshiba |
![]() |
товар відсутній |