Продукція > TOSHIBA > TPN3300ANH,LQ(S
TPN3300ANH,LQ(S

TPN3300ANH,LQ(S TOSHIBA

3622648.pdf Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN3300ANH,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.028 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 27W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 10142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+38.83 грн
500+ 30.49 грн
1000+ 20.34 грн
5000+ 19.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPN3300ANH,LQ(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TPN3300ANH,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.028 ohm, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 9.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 27W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 27W, Bauform - Transistor: TSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.028ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції TPN3300ANH,LQ(S за ціною від 19.96 грн до 69.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TPN3300ANH,LQ(S TPN3300ANH,LQ(S Виробник : Toshiba 319tpn3300anh_datasheet_en_20140218.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 21A 8-Pin TSON Advance T/R
на замовлення 28192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
182+65.46 грн
298+ 39.88 грн
326+ 36.36 грн
327+ 34.96 грн
500+ 26.35 грн
1000+ 23.57 грн
2000+ 23.39 грн
3000+ 22.19 грн
6000+ 20.97 грн
Мінімальне замовлення: 182
TPN3300ANH,LQ(S TPN3300ANH,LQ(S Виробник : TOSHIBA 3622648.pdf Description: TOSHIBA - TPN3300ANH,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.028 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 10142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+69.31 грн
14+ 54.37 грн
100+ 38.83 грн
500+ 30.49 грн
1000+ 20.34 грн
5000+ 19.96 грн
Мінімальне замовлення: 11
TPN3300ANH,LQ(S TPN3300ANH,LQ(S Виробник : Toshiba 319tpn3300anh_datasheet_en_20140218.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 21A 8-Pin TSON Advance T/R
товар відсутній