Продукція > TOSHIBA > TPN2R903PL,L1Q(M
TPN2R903PL,L1Q(M

TPN2R903PL,L1Q(M TOSHIBA

3934832.pdf Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN2R903PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 122 A, 0.0021 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 6449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+33.52 грн
500+ 25.98 грн
1000+ 18.2 грн
5000+ 17.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPN2R903PL,L1Q(M TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TPN2R903PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 122 A, 0.0021 ohm, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 122A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: TSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: U-MOSIX-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).

Інші пропозиції TPN2R903PL,L1Q(M за ціною від 17.22 грн до 63.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TPN2R903PL,L1Q(M TPN2R903PL,L1Q(M Виробник : TOSHIBA 3934832.pdf Description: TOSHIBA - TPN2R903PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 122 A, 0.0021 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 6449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+63.78 грн
15+ 52.93 грн
100+ 33.52 грн
500+ 25.98 грн
1000+ 18.2 грн
5000+ 17.22 грн
Мінімальне замовлення: 12
TPN2R903PL,L1Q(M Виробник : Toshiba MOSFET TSON-ADV SINGLE
товар відсутній