![TPN2R805PL,L1Q TPN2R805PL,L1Q](https://www.mouser.com/images/toshibaamericaelectroniccomponentsinc/lrg/TSON_8_Advance_SPL.jpg)
на замовлення 1252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 80.11 грн |
10+ | 61.11 грн |
100+ | 35.78 грн |
500+ | 28.47 грн |
1000+ | 23.12 грн |
5000+ | 21.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPN2R805PL,L1Q Toshiba
Description: MOSFET N-CH 45V 80A 8TSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 40A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.67W (Ta), 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA, Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 22.5 V.
Інші пропозиції TPN2R805PL,L1Q за ціною від 22.91 грн до 92.76 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TPN2R805PL,L1Q | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 2.67W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 22.5 V |
на замовлення 4661 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
TPN2R805PL,L1Q | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 2.67W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 22.5 V |
товар відсутній |