Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TPN2R703NL,L1Q
TPN2R703NL,L1Q

TPN2R703NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

TPN2R703NL_datasheet_en_20191030.pdf?did=14267&prodName=TPN2R703NL Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
на замовлення 4557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+80.23 грн
10+ 63.29 грн
100+ 49.25 грн
500+ 39.18 грн
1000+ 31.92 грн
2000+ 30.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPN2R703NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 22.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 300µA, Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V.

Інші пропозиції TPN2R703NL,L1Q за ціною від 30.38 грн до 89.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TPN2R703NL,L1Q TPN2R703NL,L1Q Виробник : Toshiba TPN2R703NL_datasheet_en_20191030-1916220.pdf MOSFET X35PBF Power MOSFET Trans VGS4.5VVDS30V
на замовлення 22267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+89.02 грн
10+ 72.5 грн
100+ 49.06 грн
500+ 41.58 грн
1000+ 31.95 грн
2500+ 31.88 грн
5000+ 30.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
TPN2R703NL,L1Q TPN2R703NL,L1Q Виробник : Toshiba tpn2r703nl_datasheet_en_20191030.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 90A 8-Pin TSON EP Advance T/R
товар відсутній
TPN2R703NL,L1Q TPN2R703NL,L1Q Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TPN2R703NL_datasheet_en_20191030.pdf?did=14267&prodName=TPN2R703NL Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
товар відсутній