Продукція > TOSHIBA > TPN2R703NL,L1Q(M
TPN2R703NL,L1Q(M

TPN2R703NL,L1Q(M Toshiba

tpn2r703nl_datasheet_en_20191030.pdf Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH 30V 90A 8-Pin TSON EP Advance T/R
на замовлення 7900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
272+43.71 грн
317+ 37.46 грн
334+ 35.55 грн
500+ 32.05 грн
1000+ 27.87 грн
5000+ 23.48 грн
Мінімальне замовлення: 272
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPN2R703NL,L1Q(M Toshiba

Description: TOSHIBA - TPN2R703NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 0.0022 ohm, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: TSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: U-MOSVIII-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).

Інші пропозиції TPN2R703NL,L1Q(M за ціною від 29.12 грн до 93.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TPN2R703NL,L1Q(M TPN2R703NL,L1Q(M Виробник : TOSHIBA 3934830.pdf Description: TOSHIBA - TPN2R703NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 0.0022 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 3748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+52.25 грн
500+ 41.12 грн
1000+ 29.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
TPN2R703NL,L1Q(M TPN2R703NL,L1Q(M Виробник : TOSHIBA 3934830.pdf Description: TOSHIBA - TPN2R703NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 0.0022 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 3748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+93.28 грн
11+ 71.89 грн
100+ 52.25 грн
500+ 41.12 грн
1000+ 29.12 грн
Мінімальне замовлення: 9
TPN2R703NL,L1Q(M TPN2R703NL,L1Q(M Виробник : Toshiba tpn2r703nl_datasheet_en_20191030.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 90A 8-Pin TSON EP Advance T/R
товар відсутній