Продукція > TOSHIBA > TPN14006NH,L1Q(M
TPN14006NH,L1Q(M

TPN14006NH,L1Q(M Toshiba

4948docget.jsplangenpidtpn14006nhtypedatasheet.jsplangenpidtpn14006nh.pdf Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH 60V 33A 8-Pin TSON Advance T/R
на замовлення 4992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
443+26.76 грн
477+ 24.88 грн
479+ 24.79 грн
567+ 20.18 грн
1000+ 17.72 грн
2000+ 16.84 грн
Мінімальне замовлення: 443
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPN14006NH,L1Q(M Toshiba

Description: TOSHIBA - TPN14006NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 33 A, 0.011 ohm, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 33A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: U-MOSVIII-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).

Інші пропозиції TPN14006NH,L1Q(M за ціною від 21.52 грн до 41.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TPN14006NH,L1Q(M TPN14006NH,L1Q(M Виробник : TOSHIBA 3934827.pdf Description: TOSHIBA - TPN14006NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 33 A, 0.011 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 4832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+30.33 грн
500+ 25.28 грн
1000+ 21.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
TPN14006NH,L1Q(M TPN14006NH,L1Q(M Виробник : TOSHIBA 3934827.pdf Description: TOSHIBA - TPN14006NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 33 A, 0.011 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 4832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+41.86 грн
21+ 36.63 грн
100+ 30.33 грн
500+ 25.28 грн
1000+ 21.52 грн
Мінімальне замовлення: 19
TPN14006NH,L1Q(M TPN14006NH,L1Q(M Виробник : Toshiba 4948docget.jsplangenpidtpn14006nhtypedatasheet.jsplangenpidtpn14006nh.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 33A 8-Pin TSON Advance T/R
товар відсутній