TPN13008NH,L1Q(M TOSHIBA
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN13008NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0108 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
Description: TOSHIBA - TPN13008NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0108 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 48.16 грн |
| 500+ | 37.89 грн |
| 1000+ | 26.81 грн |
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Технічний опис TPN13008NH,L1Q(M TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN13008NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0108 ohm, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: TSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: U-MOSVIII-H Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Інші пропозиції TPN13008NH,L1Q(M за ціною від 26.81 грн до 86.4 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
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TPN13008NH,L1Q(M | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPN13008NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0108 ohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TPN13008NH,L1Q(M | Виробник : Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 80V 40A 8-Pin TSON Advance T/R |
товар відсутній |
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| TPN13008NH,L1Q(M | Виробник : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; Idm: 98A; 42W; TSON8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 40A Pulsed drain current: 98A Power dissipation: 42W Case: TSON8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.3mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5000 шт |
товар відсутній |
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| TPN13008NH,L1Q(M | Виробник : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; Idm: 98A; 42W; TSON8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 40A Pulsed drain current: 98A Power dissipation: 42W Case: TSON8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.3mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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