Продукція > TOSHIBA > TPN1200APL,L1Q
TPN1200APL,L1Q

TPN1200APL,L1Q Toshiba

TPN1200APL_datasheet_en_20191018-2401229.pdf Виробник: Toshiba
MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR
на замовлення 2156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+69.37 грн
10+ 54.16 грн
100+ 31.91 грн
500+ 25.44 грн
1000+ 20.38 грн
5000+ 18.98 грн
10000+ 18.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPN1200APL,L1Q Toshiba

Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA, Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1855 pF @ 50 V.

Інші пропозиції TPN1200APL,L1Q за ціною від 20.42 грн до 84.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TPN1200APL,L1Q TPN1200APL,L1Q Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TPN1200APL_datasheet_en_20191018.pdf?did=59362&prodName=TPN1200APL Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1855 pF @ 50 V
на замовлення 4376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+84.39 грн
10+ 51.1 грн
100+ 33.7 грн
500+ 24.59 грн
1000+ 22.33 грн
2000+ 20.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
TPN1200APL,L1Q TPN1200APL,L1Q Виробник : Toshiba tpn1200apl_datasheet_en_20191018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 66A 8-Pin TSON EP Advance T/R
товар відсутній
TPN1200APL,L1Q TPN1200APL,L1Q Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TPN1200APL_datasheet_en_20191018.pdf?did=59362&prodName=TPN1200APL Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1855 pF @ 50 V
товар відсутній