![TPMR10J S1G TPMR10J S1G](https://media.digikey.com/Photos/Taiwan%20Semi%20photos/MFG_TO-277,-3-PowerDFN.jpg)
TPMR10J S1G Taiwan Semiconductor Corporation
![TPMR10D%20SERIES_C2103.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: DIODE GEN PURP 600V 10A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 140pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1500+ | 80.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPMR10J S1G Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 10A TO277A, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 40 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 140pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-277A (SMPC), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V.
Інші пропозиції TPMR10J S1G за ціною від 49.41 грн до 162.08 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TPMR10J S1G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
на замовлення 974 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
TPMR10J S1G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 40 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 140pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-277A (SMPC) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
на замовлення 3858 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
TPMR10J S1G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |