TPC8125,LQ(S

TPC8125,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage


docget.jsp?did=1895&prodName=TPC8125 Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2580 pF @ 10 V
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+18.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPC8125,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 500µA, Supplier Device Package: 8-SOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +20V, -25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2580 pF @ 10 V.

Інші пропозиції TPC8125,LQ(S за ціною від 15.89 грн до 79.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TPC8125,LQ(S TPC8125,LQ(S Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=1895&prodName=TPC8125 Description: MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2580 pF @ 10 V
на замовлення 3027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+48.26 грн
10+ 40.84 грн
100+ 28.23 грн
500+ 22.14 грн
1000+ 18.84 грн
Мінімальне замовлення: 7
TPC8125,LQ(S TPC8125,LQ(S Виробник : Toshiba TPC8125_datasheet_en_20131101-1143842.pdf MOSFET P-Ch -30V FET 2580pF -10A 1.9W
на замовлення 9130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+50.63 грн
10+ 44.16 грн
100+ 26.5 грн
500+ 22.17 грн
1000+ 18.86 грн
2500+ 17.1 грн
5000+ 15.89 грн
Мінімальне замовлення: 7
TPC8125,LQ(S TPC8125,LQ(S Виробник : TOSHIBA TPC8125.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; 1W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -10A
Power dissipation: 1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: -25...20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 4303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+55.36 грн
14+ 26.48 грн
25+ 23.38 грн
38+ 22.06 грн
100+ 20.98 грн
103+ 20.85 грн
500+ 20.07 грн
Мінімальне замовлення: 7
TPC8125,LQ(S TPC8125,LQ(S Виробник : Toshiba 231tpc8125_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 10A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
180+66.06 грн
369+ 32.19 грн
403+ 29.42 грн
405+ 28.27 грн
500+ 21.33 грн
1000+ 19.13 грн
2000+ 19.05 грн
2500+ 18.96 грн
Мінімальне замовлення: 180
TPC8125,LQ(S TPC8125,LQ(S Виробник : TOSHIBA TPC8125.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; 1W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -10A
Power dissipation: 1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: -25...20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4303 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+66.43 грн
8+ 32.99 грн
25+ 28.05 грн
38+ 26.47 грн
100+ 25.18 грн
103+ 25.02 грн
500+ 24.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
TPC8125,LQ(S TPC8125,LQ(S Виробник : Toshiba 231tpc8125_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 10A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+79.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500
TPC8125,LQ(S TPC8125,LQ(S Виробник : Toshiba 231tpc8125_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 10A 8-Pin SOP T/R
товар відсутній
TPC8125,LQ(S TPC8125,LQ(S Виробник : Toshiba 231tpc8125_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 10A 8-Pin SOP T/R
товар відсутній
TPC8125,LQ(S TPC8125,LQ(S Виробник : Toshiba 231tpc8125_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 10A 8-Pin SOP T/R
товар відсутній