![TP89R103NL,LQ TP89R103NL,LQ](https://www.mouser.com/images/mouserelectronics/lrg/SOP_8_t.jpg)
на замовлення 2537 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 54.94 грн |
10+ | 48.25 грн |
100+ | 28.61 грн |
500+ | 23.9 грн |
1000+ | 20.31 грн |
2500+ | 18.41 грн |
5000+ | 17.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TP89R103NL,LQ Toshiba
Description: MOSFET N CH 30V 15A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 7.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA, Supplier Device Package: 8-SOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V.
Інші пропозиції TP89R103NL,LQ за ціною від 20.36 грн до 77.55 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TP89R103NL,LQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V |
на замовлення 2226 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
TP89R103NL,LQ | Виробник : Toshiba |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
TP89R103NL,LQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V |
товар відсутній |