TP2540N8-G

TP2540N8-G Microchip Technology


tp2535.pdf Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 400V 0.125A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4128 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
128+94.32 грн
131+ 92.41 грн
134+ 90.51 грн
200+ 87.08 грн
500+ 80.54 грн
Мінімальне замовлення: 128
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TP2540N8-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - TP2540N8-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 125 mA, 19 ohm, TO-243, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 125mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: TO-243, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 19ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції TP2540N8-G за ціною від 70.34 грн до 147.6 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TP2540N8-G TP2540N8-G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY TP2540.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -125mA; Idm: -1.2A; 1.6W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -125mA
Pulsed drain current: -1.2A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1009 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+104.08 грн
5+ 85.66 грн
10+ 78.34 грн
30+ 73.95 грн
100+ 72.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
TP2540N8-G TP2540N8-G Виробник : Microchip Technology TP2540-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20006371A.pdf Description: MOSFET P-CH 400V 125MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 125mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
на замовлення 46000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+104.58 грн
Мінімальне замовлення: 2000
TP2540N8-G TP2540N8-G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY TP2540.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -125mA; Idm: -1.2A; 1.6W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -125mA
Pulsed drain current: -1.2A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1009 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+106.75 грн
10+ 94.01 грн
30+ 88.74 грн
100+ 86.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
TP2540N8-G TP2540N8-G Виробник : MICROCHIP 2595642.pdf Description: MICROCHIP - TP2540N8-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 125 mA, 19 ohm, TO-243, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 125mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: TO-243
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 19ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+109.6 грн
2000+ 99.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
TP2540N8-G TP2540N8-G Виробник : Microchip Technology tp2535.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 0.125A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 7855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+115.5 грн
10+ 114.75 грн
25+ 101.59 грн
100+ 91.4 грн
250+ 84.01 грн
500+ 80.06 грн
1000+ 71.78 грн
3000+ 71.05 грн
6000+ 70.34 грн
Мінімальне замовлення: 6
TP2540N8-G TP2540N8-G Виробник : Microchip Technology tp2535.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 0.125A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 7855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
97+124.38 грн
98+ 123.58 грн
111+ 109.4 грн
119+ 98.44 грн
250+ 90.48 грн
500+ 86.22 грн
1000+ 77.3 грн
3000+ 76.52 грн
6000+ 75.75 грн
Мінімальне замовлення: 97
TP2540N8-G TP2540N8-G Виробник : Microchip Technology TP2540-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20006371A.pdf Description: MOSFET P-CH 400V 125MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 125mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
на замовлення 47124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+136.09 грн
25+ 110.17 грн
100+ 100.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
TP2540N8-G TP2540N8-G Виробник : Microchip Technology tp2535.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 0.125A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
88+137.76 грн
100+ 134.55 грн
Мінімальне замовлення: 88
TP2540N8-G TP2540N8-G Виробник : MICROCHIP 2595642.pdf Description: MICROCHIP - TP2540N8-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 125 mA, 19 ohm, TO-243, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 125mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: TO-243
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 19ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+142.71 грн
25+ 119.85 грн
100+ 109.6 грн
Мінімальне замовлення: 6
TP2540N8-G TP2540N8-G Виробник : Microchip Technology TP2540_P_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FE-3442141.pdf MOSFET 400V 25Ohm
на замовлення 5545 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+147.6 грн
25+ 122.86 грн
100+ 97.7 грн
Мінімальне замовлення: 3
TP2540N8-G TP2540N8-G Виробник : Microchip Technology tp2535.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 0.125A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
TP2540N8-G TP2540N8-G Виробник : Microchip Technology tp2535.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 0.125A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
TP2540N8-G TP2540N8-G Виробник : Microchip Technology tp2535.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 0.125A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній