Продукція > VISHAY > TP0610K-T1-GE3
TP0610K-T1-GE3

TP0610K-T1-GE3 Vishay

tp0610k.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 801000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.48 грн
24000+ 6.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TP0610K-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - TP0610K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 185 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 185mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції TP0610K-T1-GE3 за ціною від 7.46 грн до 36.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TP0610K-T1-GE3 TP0610K-T1-GE3 Виробник : Vishay tp0610k.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 801000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+8.06 грн
24000+ 7.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
TP0610K-T1-GE3 TP0610K-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix tp0610k.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 185mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.13 грн
6000+ 8.43 грн
9000+ 7.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
TP0610K-T1-GE3 TP0610K-T1-GE3 Виробник : Vishay tp0610k.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1171+10.4 грн
Мінімальне замовлення: 1171
TP0610K-T1-GE3 TP0610K-T1-GE3 Виробник : Vishay tp0610k.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
811+15.01 грн
817+ 14.91 грн
870+ 14 грн
1000+ 12.23 грн
2000+ 11.23 грн
Мінімальне замовлення: 811
TP0610K-T1-GE3 TP0610K-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0010613246-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - TP0610K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 185 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 185mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+15.86 грн
500+ 13.6 грн
1000+ 10.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
TP0610K-T1-GE3 TP0610K-T1-GE3 Виробник : Vishay tp0610k.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
37+16.4 грн
42+ 14.47 грн
100+ 11.52 грн
250+ 10.43 грн
500+ 9.56 грн
1000+ 8.28 грн
Мінімальне замовлення: 37
TP0610K-T1-GE3 TP0610K-T1-GE3 Виробник : VISHAY tp0610k.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -0.115A; 0.14W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.115A
Pulsed drain current: -0.8A
Power dissipation: 0.14W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 1893 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+28.18 грн
18+ 20.93 грн
100+ 13.75 грн
107+ 8.22 грн
293+ 7.77 грн
Мінімальне замовлення: 15
TP0610K-T1-GE3 TP0610K-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors tp0610k.pdf MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 16232 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+31.14 грн
14+ 23.68 грн
100+ 14.78 грн
500+ 12.99 грн
1000+ 9.26 грн
3000+ 8.68 грн
Мінімальне замовлення: 11
TP0610K-T1-GE3 TP0610K-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix tp0610k.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 185mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V
на замовлення 29880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+33.38 грн
12+ 25.34 грн
100+ 15.17 грн
500+ 13.18 грн
1000+ 8.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
TP0610K-T1-GE3 TP0610K-T1-GE3 Виробник : VISHAY tp0610k.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -0.115A; 0.14W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.115A
Pulsed drain current: -0.8A
Power dissipation: 0.14W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1893 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+33.81 грн
11+ 26.08 грн
100+ 16.5 грн
107+ 9.87 грн
293+ 9.33 грн
9000+ 8.97 грн
Мінімальне замовлення: 9
TP0610K-T1-GE3 TP0610K-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0010613246-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - TP0610K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 185 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 185mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+36.22 грн
29+ 28.01 грн
100+ 15.86 грн
500+ 13.6 грн
1000+ 10.42 грн
Мінімальне замовлення: 23
TP0610K-T1-GE3 TP0610K-T1-GE3 Виробник : Vishay tp0610k.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
TP0610K-T1-GE3 Виробник : Vishay tp0610k.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
TP0610K-T1-GE3 TP0610K-T1-GE3 Виробник : Vishay tp0610k.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній