;;3.jpg "TN5325K1-G")
TN5325K1-G Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 250V 150MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 36.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TN5325K1-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - TN5325K1-G - Leistungs-MOSFET, DMOS, n-Kanal, 250 V, 150 mA, 7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції TN5325K1-G за ціною від 22.08 грн до 53.9 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TN5325K1-G | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - TN5325K1-G - Leistungs-MOSFET, DMOS, n-Kanal, 250 V, 150 mA, 7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
TN5325K1-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
TN5325K1-G | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 250V 150MA TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V |
на замовлення 8322 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
TN5325K1-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
TN5325K1-G | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - TN5325K1-G - Leistungs-MOSFET, DMOS, n-Kanal, 250 V, 150 mA, 7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
TN5325K1-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
TN5325K1-G | Виробник : Microchip Technology |
MOSFETs 250V 7Ohm |
на замовлення 27557 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
TN5325K1-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| TN5325K1-G | Виробник : Supertex |
Transistor N-Channel MOSFET; 250V; 20V; 8Ohm; 150mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; TN5325K1-G TTN5325k1 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
 |
TN5325K1-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 150mA; Idm: 0.4A; 360mW Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.36W Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.4A Mounting: SMD Case: SOT23-3 Drain-source voltage: 250V Drain current: 0.15A On-state resistance: 7Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
TN5325K1-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
TN5325K1-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
TN5325K1-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 150mA; Idm: 0.4A; 360mW Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.36W Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.4A Mounting: SMD Case: SOT23-3 Drain-source voltage: 250V Drain current: 0.15A On-state resistance: 7Ω Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |