Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > TN2130K1-G
TN2130K1-G

TN2130K1-G Microchip Technology

TN2130-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005944B.pdf Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 300V 85MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+24.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TN2130K1-G Microchip Technology

Description: MOSFET N-CH 300V 85MA TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 360mW (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V.

Інші пропозиції TN2130K1-G за ціною від 15.72 грн до 34.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TN2130K1-G TN2130K1-G Виробник : MICROCHIP TN2130-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005944B.pdf Description: MICROCHIP - TN2130K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 85 mA, 25 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 360
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+27.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
TN2130K1-G TN2130K1-G Виробник : Microchip Technology TN2130-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005944B.pdf Description: MOSFET N-CH 300V 85MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 8160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31.93 грн
25+ 24.92 грн
100+ 23.58 грн
Мінімальне замовлення: 10
TN2130K1-G TN2130K1-G Виробник : Microchip Technology TN2130_N_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FE-3442112.pdf MOSFETs 300V 25Ohm
на замовлення 37949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+33.71 грн
25+ 24.18 грн
100+ 22.91 грн
3000+ 22.7 грн
9000+ 22.28 грн
Мінімальне замовлення: 10
TN2130K1-G TN2130K1-G Виробник : MICROCHIP 3099062.pdf Description: MICROCHIP - TN2130K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 85 mA, 25 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300
Dauer-Drainstrom Id: 85
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 360
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4
Verlustleistung: 360
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 25
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+34.61 грн
29+ 27.91 грн
100+ 27.83 грн
Мінімальне замовлення: 23
TN2130K1-G Виробник : Supertex TN2130-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005944B.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 300V; 20V; 25Ohm; 85mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; TN2130K1-G TTN2130k1
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+15.72 грн
Мінімальне замовлення: 50
TN2130K1-G TN2130K1-G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY TN2130.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 0.25A; 360mW; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Pulsed drain current: 0.25A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
TN2130K1-G TN2130K1-G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY TN2130.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 0.25A; 360mW; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Pulsed drain current: 0.25A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній