TN0620N3-G Microchip Technology
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
127+ | 95.29 грн |
154+ | 78.28 грн |
155+ | 78.17 грн |
200+ | 74 грн |
500+ | 68.33 грн |
1000+ | 65.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TN0620N3-G Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3, Packaging: Bag, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-92-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V.
Інші пропозиції TN0620N3-G за ціною від 65.37 грн до 131.52 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
TN0620N3-G | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 200V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 2975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
TN0620N3-G | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - TN0620N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 250 mA, 4 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 250mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm |
на замовлення 321 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
TN0620N3-G | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 200V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
TN0620N3-G | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 200V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
TN0620N3-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 250mA; Idm: 2A; 1W; TO92 Mounting: THT Kind of package: bulk Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 2A Case: TO92 Drain-source voltage: 200V Drain current: 0.25A On-state resistance: 6Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1W |
на замовлення 147 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
TN0620N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3 Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V |
на замовлення 835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
TN0620N3-G | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 200V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
TN0620N3-G | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 200V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
TN0620N3-G | Виробник : Microchip Technology | MOSFET 200V 6Ohm |
на замовлення 5821 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
TN0620N3-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 250mA; Idm: 2A; 1W; TO92 Mounting: THT Kind of package: bulk Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 2A Case: TO92 Drain-source voltage: 200V Drain current: 0.25A On-state resistance: 6Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 147 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
TN0620N3-G | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 200V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag |
товар відсутній |