TK9J90E,S1E(S TOSHIBA
Виробник: TOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9A; 250W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9A
Power dissipation: 250W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 268.25 грн |
| 5+ | 171.94 грн |
| 14+ | 162.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK9J90E,S1E(S TOSHIBA
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9A; 250W; TO3PN, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 900V, Drain current: 9A, Power dissipation: 250W, Case: TO3PN, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 1.3Ω, Mounting: THT, Gate charge: 46nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції TK9J90E,S1E(S за ціною від 194.86 грн до 321.9 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TK9J90E,S1E(S | Виробник : TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9A; 250W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 9A Power dissipation: 250W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.3Ω Mounting: THT Gate charge: 46nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 379 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
 |
TK9J90E,S1E(S | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 900V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN |
товар відсутній |