TK90S06N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 43.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK90S06N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 90A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 45A, 10V, Power Dissipation (Max): 157W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA, Supplier Device Package: DPAK+, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 10 V.
Інші пропозиції TK90S06N1L,LXHQ за ціною від 39.47 грн до 125.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TK90S06N1L,LXHQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 60V 90A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 157W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA Supplier Device Package: DPAK+ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 10 V |
на замовлення 9627 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TK90S06N1L,LXHQ | Виробник : Toshiba |
MOSFET 157W 1MHz Automotive; AEC-Q101 |
на замовлення 18491 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|