TK8R2A06PL,S4X Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 25 V
на замовлення 1060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 68.66 грн |
| 50+ | 53.07 грн |
| 100+ | 42.05 грн |
| 500+ | 33.45 грн |
| 1000+ | 27.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK8R2A06PL,S4X Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220SIS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 8A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 36W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA, Supplier Device Package: TO-220SIS, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 25 V.
Інші пропозиції TK8R2A06PL,S4X за ціною від 25.67 грн до 75.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK8R2A06PL,S4X | Виробник : Toshiba |
MOSFET N-Ch 60V 1990pF 29nC 50A 34W |
на замовлення 3628 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|