![TK8A50D(STA4,Q,M) TK8A50D(STA4,Q,M)](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/56/67/C0/00/0/816741_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=69ebd442b0349a329b814b429895f3b68e74a52f)
TK8A50D(STA4,Q,M) TOSHIBA
![TK8A50D.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; Idm: 32A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 524 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 70.42 грн |
10+ | 62.67 грн |
16+ | 54.22 грн |
42+ | 51.4 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK8A50D(STA4,Q,M) TOSHIBA
Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220SIS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 40W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220SIS, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V.
Інші пропозиції TK8A50D(STA4,Q,M) за ціною від 39.55 грн до 115.15 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TK8A50D(STA4,Q,M) | Виробник : TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; Idm: 32A; 40W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 8A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 524 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
TK8A50D(STA4,Q,M) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220SIS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V |
на замовлення 73 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
TK8A50D(STA4,Q,M) | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 1244 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
TK8A50D(STA4,Q,M) | Виробник : Toshiba |
![]() |
товар відсутній |