Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TK7S10N1Z,LQ
TK7S10N1Z,LQ

TK7S10N1Z,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

TK7S10N1Z_datasheet_en_20200624.pdf?did=15153&prodName=TK7S10N1Z Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 10 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+42.13 грн
Мінімальне замовлення: 2000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK7S10N1Z,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 100V 7A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA, Supplier Device Package: DPAK+, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 10 V.

Інші пропозиції TK7S10N1Z,LQ за ціною від 37.01 грн до 107.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TK7S10N1Z,LQ TK7S10N1Z,LQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TK7S10N1Z_datasheet_en_20200624.pdf?did=15153&prodName=TK7S10N1Z Description: MOSFET N-CH 100V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 10 V
на замовлення 5599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+101.83 грн
10+ 80.23 грн
100+ 62.41 грн
500+ 49.65 грн
1000+ 40.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK7S10N1Z,LQ TK7S10N1Z,LQ Виробник : Toshiba TK7S10N1Z_datasheet_en_20200624-1915289.pdf MOSFETs 60W 1MHz Automotive; AEC-Q101
на замовлення 5464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+107.33 грн
10+ 86.93 грн
100+ 58.55 грн
500+ 49.63 грн
1000+ 40.44 грн
2000+ 38.01 грн
4000+ 37.01 грн
Мінімальне замовлення: 4