Продукція > TOSHIBA > TK7P65W,RQ
TK7P65W,RQ

TK7P65W,RQ Toshiba

TK7P65W_datasheet_en_20151225-1916230.pdf Виробник: Toshiba
MOSFET Power MOSFET N-Channel
на замовлення 2672 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+74.84 грн
10+ 64.52 грн
100+ 48.4 грн
250+ 48.13 грн
500+ 43.8 грн
1000+ 42.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK7P65W,RQ Toshiba

Description: MOSFET N-CH 650V 6.8A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 300 V.

Інші пропозиції TK7P65W,RQ за ціною від 43.94 грн до 102.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TK7P65W,RQ TK7P65W,RQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 650V 6.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 300 V
на замовлення 1408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+102.38 грн
10+ 81.96 грн
100+ 65.22 грн
500+ 51.79 грн
1000+ 43.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK7P65W,RQ Виробник : Toshiba 6969docget.jspdid15525prodnametk7p65w.jspdid15525prodnametk7p65w.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
TK7P65W,RQ TK7P65W,RQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 650V 6.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 300 V
товар відсутній