Продукція > TOSHIBA > TK7P60W5,RVQ
TK7P60W5,RVQ

TK7P60W5,RVQ Toshiba

125docget.jsppidtk7p60w5langentypedatasheet.jsppidtk7p60w5langentype.pdf Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
136+90.37 грн
164+ 74.96 грн
250+ 74.18 грн
500+ 61.53 грн
1000+ 49.22 грн
2000+ 44.62 грн
Мінімальне замовлення: 136
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK7P60W5,RVQ Toshiba

Description: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 350µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 300 V.

Інші пропозиції TK7P60W5,RVQ за ціною від 41.44 грн до 108 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TK7P60W5,RVQ TK7P60W5,RVQ Виробник : Toshiba 125docget.jsppidtk7p60w5langentypedatasheet.jsppidtk7p60w5langentype.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+95.78 грн
10+ 83.92 грн
100+ 69.61 грн
250+ 66.42 грн
500+ 52.9 грн
1000+ 43.88 грн
2000+ 41.44 грн
Мінімальне замовлення: 7
TK7P60W5,RVQ TK7P60W5,RVQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TK7P60W5_datasheet_en_20140917.pdf?did=14494&prodName=TK7P60W5 Description: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 350µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 300 V
на замовлення 1203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+108 грн
10+ 86.02 грн
100+ 68.45 грн
500+ 54.36 грн
1000+ 46.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK7P60W5,RVQ TK7P60W5,RVQ Виробник : Toshiba 125docget.jsppidtk7p60w5langentypedatasheet.jsppidtk7p60w5langentype.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
TK7P60W5,RVQ TK7P60W5,RVQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TK7P60W5_datasheet_en_20140917.pdf?did=14494&prodName=TK7P60W5 Description: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 350µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 300 V
товар відсутній
TK7P60W5,RVQ TK7P60W5,RVQ Виробник : Toshiba TK7P60W5_datasheet_en_20140917-1150887.pdf MOSFET DTMOSIV 600V 600mOhm DPKw/Hgh Speed Diode
товар відсутній