Продукція > TOSHIBA > TK72E08N1,S1X(S
TK72E08N1,S1X(S

TK72E08N1,S1X(S TOSHIBA

Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK72E08N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 157 A, 0.0036 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 157A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+191.1 грн
10+ 145.6 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK72E08N1,S1X(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TK72E08N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 157 A, 0.0036 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 157A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 192W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: U-MOSVIII-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).

Інші пропозиції TK72E08N1,S1X(S

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TK72E08N1,S1X(S TK72E08N1,S1X(S Виробник : Toshiba 529docget.jsptypedatasheetlangenpidtk72e08n1.jsptypedatasheetlangenp.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 157A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товар відсутній