Продукція > TOSHIBA > TK6P60W,RVQ
TK6P60W,RVQ

TK6P60W,RVQ Toshiba

21tk6p60w_en_datasheet.pdf Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
144+52.55 грн
Мінімальне замовлення: 144
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK6P60W,RVQ Toshiba

Description: MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 820mOhm @ 3.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 310µA, Supplier Device Package: DPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V.

Інші пропозиції TK6P60W,RVQ за ціною від 55.98 грн до 135.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TK6P60W,RVQ TK6P60W,RVQ Виробник : Toshiba 21tk6p60w_en_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
217+56.59 грн
Мінімальне замовлення: 217
TK6P60W,RVQ TK6P60W,RVQ Виробник : Toshiba TK6P60W_datasheet_en_20140917-1140108.pdf MOSFETs N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nC
на замовлення 2003 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+97.34 грн
10+ 83.65 грн
100+ 62.54 грн
250+ 62.4 грн
500+ 57.19 грн
1000+ 55.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK6P60W,RVQ TK6P60W,RVQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TK6P60W_datasheet_en_20140917.pdf?did=13530&prodName=TK6P60W Description: MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 820mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 310µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
на замовлення 1999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+135.77 грн
10+ 108.38 грн
100+ 86.26 грн
500+ 68.5 грн
1000+ 58.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK6P60W,RVQ TK6P60W,RVQ Виробник : Toshiba 21tk6p60w_en_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товар відсутній
TK6P60W,RVQ TK6P60W,RVQ Виробник : Toshiba 21tk6p60w_en_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товар відсутній
TK6P60W,RVQ TK6P60W,RVQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TK6P60W_datasheet_en_20140917.pdf?did=13530&prodName=TK6P60W Description: MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 820mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 310µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
товар відсутній