![TK6A80E,S4X(S TK6A80E,S4X(S](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/05/E4/D0/00/0/872016_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=863a986b5636b5b9a063786ec813ff829133c2bb)
TK6A80E,S4X(S TOSHIBA
![TK6A80E.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; Idm: 18A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 100.3 грн |
10+ | 88.59 грн |
12+ | 76.88 грн |
31+ | 72.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK6A80E,S4X(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK6A80E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 1.35 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TO-220SIS, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Інші пропозиції TK6A80E,S4X(S за ціною від 86.98 грн до 151.38 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TK6A80E,S4X(S | Виробник : TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; Idm: 18A; 45W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 6A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 45W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.35Ω Mounting: THT Gate charge: 32nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 158 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
TK6A80E,S4X(S | Виробник : TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-220SIS Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 47 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
TK6A80E,S4X(S | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 33 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
![]() |
TK6A80E,S4X(S | Виробник : Toshiba |
![]() |
товар відсутній |