![TK4R4P06PL,RQ TK4R4P06PL,RQ](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/da370416e9208bf6c9c54d036007b2506a3870ee/tk560p65yrq.jpg)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 39.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK4R4P06PL,RQ Toshiba
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 58A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 29A, 10V, Power Dissipation (Max): 87W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA, Supplier Device Package: DPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3280 pF @ 30 V.
Інші пропозиції TK4R4P06PL,RQ за ціною від 31.46 грн до 97.32 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TK4R4P06PL,RQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 29A, 10V Power Dissipation (Max): 87W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3280 pF @ 30 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
TK4R4P06PL,RQ | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
TK4R4P06PL,RQ | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
TK4R4P06PL,RQ | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
TK4R4P06PL,RQ | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 12957 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
TK4R4P06PL,RQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 29A, 10V Power Dissipation (Max): 87W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3280 pF @ 30 V |
на замовлення 3385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
TK4R4P06PL,RQ | Виробник : Toshiba |
![]() |
товар відсутній |