![TK4R1A10PL,S4X TK4R1A10PL,S4X](https://www.mouser.com/images/toshibaamericaelectroniccomponentsinc/lrg/TO-220SIS.jpg)
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 150.06 грн |
10+ | 123.67 грн |
100+ | 87.15 грн |
500+ | 68.67 грн |
1000+ | 57.92 грн |
5000+ | 56.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK4R1A10PL,S4X Toshiba
Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 40A, 10V, Power Dissipation (Max): 54W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220SIS, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6320 pF @ 50 V.
Інші пропозиції TK4R1A10PL,S4X
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
TK4R1A10PL,S4X | Виробник : Toshiba |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
TK4R1A10PL,S4X | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220SIS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6320 pF @ 50 V |
товар відсутній |