Продукція > TOSHIBA > TK4P60DA,RQ(S2
TK4P60DA,RQ(S2

TK4P60DA,RQ(S2 TOSHIBA

2921003.pdf Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK4P60DA,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 1.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+35.72 грн
500+ 28.87 грн
1000+ 23.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK4P60DA,RQ(S2 TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TK4P60DA,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 1.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 80W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції TK4P60DA,RQ(S2 за ціною від 23.27 грн до 63.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TK4P60DA,RQ(S2 TK4P60DA,RQ(S2 Виробник : TOSHIBA 2921003.pdf Description: TOSHIBA - TK4P60DA,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 1.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+63.17 грн
16+ 48.38 грн
100+ 35.72 грн
500+ 28.87 грн
1000+ 23.27 грн
Мінімальне замовлення: 13
TK4P60DA,RQ(S2 Виробник : Toshiba PWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній