TK4P60D,RQ Toshiba
на замовлення 1806 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 76.45 грн |
10+ | 58.9 грн |
100+ | 34.82 грн |
250+ | 34.31 грн |
500+ | 27.62 грн |
1000+ | 25.54 грн |
2000+ | 20.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK4P60D,RQ Toshiba
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DP(, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V.
Інші пропозиції TK4P60D,RQ за ціною від 28.34 грн до 63.03 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
TK4P60D,RQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DP( Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V |
на замовлення 940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
TK4P60D,RQ | Виробник : Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||
TK4P60D,RQ | Виробник : Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||
TK4P60D,RQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DP( Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V |
товар відсутній |