Продукція > TOSHIBA > TK4P60D,RQ(S
TK4P60D,RQ(S

TK4P60D,RQ(S TOSHIBA


3934724.pdf Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK4P60D,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1745 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+37.23 грн
500+ 28.87 грн
1000+ 19.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK4P60D,RQ(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TK4P60D,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції TK4P60D,RQ(S за ціною від 18.57 грн до 70.9 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TK4P60D,RQ(S TK4P60D,RQ(S Виробник : TOSHIBA 3934724.pdf Description: TOSHIBA - TK4P60D,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+70.9 грн
13+ 59.3 грн
100+ 37.23 грн
500+ 28.87 грн
1000+ 19.04 грн
Мінімальне замовлення: 11
TK4P60D,RQ(S Виробник : Toshiba TK4P60D,RQ(S
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
577+20.54 грн
580+ 20.44 грн
607+ 19.55 грн
1000+ 18.57 грн
Мінімальне замовлення: 577
TK4P60D,RQ(S Виробник : Toshiba TK4P60D,RQ(S
товар відсутній